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　　金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“减小导通损耗的SiC场效应晶体管”的专利，授权公告号CN 222721865 U，申请日期为2024年6月。

　　专利摘要显示，减小导通损耗的SiC场效应晶体管，涉及半导体技术领域。在SiC MOSFET器件中集成SBD结构，在不影响器件源胞通流能力的同时，将原本在续流过程中只有PN结体二极管作为泄流路径，转变为同时有SBD和PN结两种体二极管作为路径，不仅减小了器件在续流过程中的导通损耗，而且也降低了器件双极退化效应的发生，使得器件可以更长期稳定的使用。

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　　天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币，实缴资本54231.5万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目164次，财产线条，此外企业还拥有行政许可233个。

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